sic mosfet 文章 最新資訊
英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用
- 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實現(xiàn)電動汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計
- 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅(qū)動器性能正不斷演
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IC SiC
安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸 重構(gòu)高功率生態(tài)
- 在電動汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。基于這樣的新應(yīng)用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與突破性封裝設(shè)計深度融合，為汽車和工業(yè)高功率應(yīng)用帶來性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展新方向。1? ?行業(yè)趨勢驅(qū)動：高功
- 關(guān)鍵字： 202601 MOSFET 安森美 熱管理
柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用
- 碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當保證設(shè)計靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計工作和設(shè)計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相
- 在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 MOSFET
SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊
- 汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅(qū)動電機，并生成驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅(qū)動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，進而精準調(diào)控電機的轉(zhuǎn)速、扭矩等關(guān)鍵運行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
- 關(guān)鍵字： SiC 電動汽車 高壓 逆變器 功率模塊
功率電路進階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由
- 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關(guān)注的是發(fā)熱問題。 所有半導(dǎo)體在電流流過其中時都會產(chǎn)生熱量。 這種熱量可以用導(dǎo)通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
- 關(guān)鍵字： 安森美 功率電路 固態(tài)斷路器 SiC JFET
聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀
- 輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護。這些風(fēng)險若未及時管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達到前所未有的水平，對保護裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
- 關(guān)鍵字： 安森美 固態(tài)斷路器 SiC JFET
Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程
- 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關(guān)頻率與電壓下穩(wěn)定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
- 關(guān)鍵字： Melexis 邁來芯 RC緩沖器 利普思 SiC
onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領(lǐng)域進一步展開合作
- Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術(shù)的新長期協(xié)議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA HELLA的先進汽車平臺，反映出高效且可擴展的電力設(shè)備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關(guān)意義，因為它強調(diào)了一級供應(yīng)商和半導(dǎo)體廠商如何將功率半導(dǎo)體路線圖與新興汽車架構(gòu)（包括分區(qū)設(shè)計和軟件定義車輛）對齊。它還為設(shè)備層面的漸進式改進如何影響未來車輛平臺的系統(tǒng)效率和成本目標提供了見解。Powe
- 關(guān)鍵字： Onsemi FORVIA HELLA 汽車電子 MOSFET
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現(xiàn)更高的功率密度
- 簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標準： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應(yīng)用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統(tǒng)、電動汽車充電、電源、電機驅(qū)動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉(zhuǎn)換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當下布局，引領(lǐng)未來市場豐富的 CoolSi
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率轉(zhuǎn)換
英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標準
- 簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務(wù)器和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現(xiàn)了其在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的優(yōu)勢。關(guān)鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統(tǒng)
SiC市場發(fā)展周期修正
- Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
- 關(guān)鍵字： SiC yole
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic mosfet電路
sic mosfet相關(guān)帖子
sic mosfet資料下載
sic mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473